Aligner 通常指的是掩模對準曝光機，是光刻機（Mask Aligner）的核心功能部件或有時作為光刻機的簡稱。

工作原理

光學投影原理：利用光學透鏡成像原理，將掩模上的集成電路圖案通過光源發(fā)出的光線，經(jīng)過一系列光學元件的折射、反射和聚焦，精確地投影到涂有光刻膠的晶圓表面。就像投影儀將圖像投射到屏幕上一樣，不過 Aligner 的精度達到了納米級別。

對準原理：配備高精度的對準系統(tǒng)，通過光學傳感器、顯微鏡等設備，對掩模和晶圓上的特定標記進行識別和定位。在曝光前，將掩模圖案與晶圓上已有的圖案或位置精確對準，確保圖案的疊加精度，通常對準精度可達到亞微米甚至納米級別。

關鍵部件

光源系統(tǒng)：是提供光刻所需能量的核心部件，常見的有準分子激光器等，能產(chǎn)生特定波長的紫外光或極紫外光。如氟化氪（KrF）激光器產(chǎn)生 248nm 波長的光，氟化氬（ArF）激光器產(chǎn)生 193nm 波長的光，波長越短，光刻的分辨率越高。

光學系統(tǒng)：由多個高質量的透鏡、反射鏡等組成。這些光學元件經(jīng)過精密加工和組裝，用于對光源發(fā)出的光線進行整形、聚焦和傳輸，確保光線以精確的角度和強度投射到晶圓上，以實現(xiàn)高分辨率的成像。

對準系統(tǒng)：包括對準傳感器、工作臺位移測量裝置等。對準傳感器用于檢測掩模和晶圓上的對準標記，工作臺位移測量裝置則精確控制掩模臺和晶圓臺的相對位置，實現(xiàn)高精度的對準。

工作臺系統(tǒng)：承載掩模和晶圓，需要具備高精度的運動控制和定位能力。通常采用高精度的導軌、電機和驅動器，能夠在平面內實現(xiàn)高精度的平移和旋轉運動，并且在垂直方向上進行精確的聚焦控制。

技術指標

分辨率：指能夠在晶圓上清晰分辨的最小特征尺寸，如 28nm、7nm 等，是衡量光刻機性能的關鍵指標。波長越短、光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑越大，分辨率越高。

對準精度：體現(xiàn)了掩模圖案與晶圓上已有圖案或位置的對準精確程度，一般在亞微米到納米級別。對準精度越高，芯片制造的良率和性能就越有保障。

曝光均勻性：反映了在整個曝光區(qū)域內光線強度的均勻程度。均勻性好能確保光刻膠在不同位置受到的光照強度一致，從而保證圖案的一致性和質量。

生產(chǎn)效率：通常以每小時能夠完成的晶圓曝光數(shù)量來衡量，與工作臺的運動速度、曝光時間、對準時間等因素有關。

應用領域

半導體芯片制造：用于制造各種集成電路芯片，從計算機的 CPU、GPU 到手機的處理器、存儲芯片等。通過光刻工藝將復雜的電路圖案轉移到晶圓上，為后續(xù)的蝕刻、摻雜等工藝奠定基礎。

微機電系統(tǒng)（MEMS）制造：用于制造微傳感器、微執(zhí)行器、微光學元件等 MEMS 器件，實現(xiàn)微小尺寸的機械結構和電子電路的集成。

光電子器件制造：如制造發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、光波導等光電子器件，通過光刻工藝定義器件的結構和電極等。